Название: Курс физики - Трофимова Т.И.

Жанр: Физика

Рейтинг:

Просмотров: 15709


                  

                                      Рис. 322

                                     

Проводимость примесного полупроводника, как и проводимость любого проводника, определяется концентрацией носителей и их подвижностью. С изменением температуры подвижность носителей меняется по сравнительно слабому степенному закону, а концентрация носителей — по очень сильному экспоненциальному закону, поэтому проводимость примесных полупроводников от температуры определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей тока в нем. На рис. 323 дан примерный график зависимости Ing от 1/Т для примесных полупроводников.

 

                                      Рис. 323

 

Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок ВС соответствует области истощения примесей (это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника.

 

§ 244. Фотопроводимость полупроводников

 

Фотопроводимость (см. § 202) полупроводников — увеличение электропроводности полу проводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихсяв нем примесей. В первом случае при поглощении фотонов, соответствующих собственной полосе поглощения полупроводника, т. е. когда энергия фотонов равна или больше ширины запрещенной зоны (hv > DE), могут совершаться перебросы электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 324, а), что приведет к появлению добавочных (неравновесных) электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне). В результате возникает собственная фотопроводимость, обусловленная как электронами, так и дырками.

 

                                      Рис. 324

 

Если полупроводник содержит примеси, то фотопроводимость может возникать и при hv < DE: для полупроводников с донорной примесью фотон должен обладать энергией hv > DED, а для полупроводников с акцепторной примесью — hv ³ DEA. При поглощении света примесными центрами происходит переход электронов с донорных уровней в зону проводимости в случае полупроводника n-типа (рис. 324, б) или из валентной зоны на акцепторные уровни в случае полупроводника р-типа (рис. 324, в). В результате возникает примесная фотопроводимость, являющаяся чисто электронной для полупроводников n-типа и чисто дырочной для полупроводников р-типа.

Таким образом, если

hv ³ DE для собственных полупроводников,

hv ³ DEП  для примесных полупроводников                                 (244.1)

(DEП  — в общем случае энергия активации примесных атомов), то в полупроводнике возбуждается фотопроводимость. Из (244.1) можно определить красную границу фото проводимости — максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается:

l0 =сh/DE для собственных полупроводников,

l0 =сh/DEП   для примесных полупроводников.

Учитывая значения DE  и DEП   для конкретных полупроводников, можно показать, что красная граница фотопроводимости для собственных полупроводников приходится на видимую область спектра, для примесных же полупроводников — на инфракрасную.

На рис. 325 представлена типичная зависимость фотопроводимости j и коэффициента поглощения æ от длины волны l падающего на полупроводник света. Из рисунка следует, что при l > l0 фотопроводимость действительно не возбуждается. Спад фотопроводимости в коротковолновой части полосы поглощения объясняется большой скоростью рекомбинации в условиях сильного поглощения в тонком поверхностном слое толщиной x » 1 мкм (коэффициент поглощения » 106 м-1).

                                        Рис. 325


Оцените книгу: 1 2 3 4 5